Opportunities and Challenges of Ge CMOS

von Toriumi, A.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-75.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2011)

Recent Progress of Electron Devics with New Channel Materials

von Toriumi, A.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki Kairo Gijutsu 76. Shinpojiumu kōen ronbunshū (2012)

Study of Quantum Transport Properties in Ultra- small Si Devices’

von Toriumi, A.
Veröffentlicht in Shinkinō Soshi Gijutsu Shimpojiumu (14. : 1995 : Tokio) Extended abstracts of 14th Symposium on Future Electron Devices (1995)

Investigation of the MIS structure with Gate Dielectrics used Zr-related Materials

von Yamaguchi, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (59 : 2000 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-59.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2000)

Single Electron Devices and Their Applications

von Kobayashi, S.
Veröffentlicht in Shinkinō Soshi Gijutsu Shimpojiumu (14. : 1995 : Tokio) Extended abstracts of 14th Symposium on Future Electron Devices (1995)

Oxynitride Interfance Control in HfO2 MIS Structures for Improvement of FET Performance

von Ota, H.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (63 : 2002 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-63.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2002)

Interfacial Control and Subject for Ge-CMOS

von Nishimura, T.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-74.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2010)

Development of Fully Silicided Gate Technology in Metal/High-k MOSFETs

von Nabatame, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (68 : 2005 : Kyōto) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-68.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2005)

Electrical properties and structure of HfAlOx/HfA1Ox(N) films prepared by LL-D & A process

von Nabatame, T.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (65 : 2003 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-65.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2003)