Treffer 1 - 20 von 28 für Suche 'Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik', Suchdauer: 0,30s Treffer weiter einschränken
  1. 1
    Veröffentlicht 2000
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  2. 2
    Veröffentlicht 2000
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  3. 3
    Schlussbericht vom 11.08.2004 zum Thema: Modifizierung der Eigenschaften von Zinkgermaniumdiphosphid (ZGP)-Kristallen durch Hochenergie-Implantation mit stabilen Isotopen : bmb+f-Förderschwerpunkt Kondensierte Materie, Großgeräte der physikalischen Grundlagenforschung ; Förderzeitraum: 01.04.2001 - 31.03.2004
    Veröffentlicht 2004
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  4. 4
    Quantenpunktspeicher auf der Basis von Antimon- und Phosphor-haltigen Halbleiterheterostrukturen (ANTIPHOS) : SIGNO-Ergänzungsförderung - ANTIPHOS ; Abschlussbericht
    Veröffentlicht 2011
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  5. 5
    Metallorganische Gasphasenepitaxie von Quantenpunkt-Bauelementen mit in-situ Prozesskontrolle : im Rahmen des NanOp-Verbundes "In-situ Prozesskontrolle bei der Herstellung von Nanostrukturen und Schichten im Bereich atomarer Monolagen" des BMBF-Kompetenzzentrums für die Anwendung von Nanostrukturen in der Optoelektronik ; 3. Zwischenbericht und Abschlussbericht zum Forschungsvorhaben ; Berichtszeitraum: 1.2.2004 - 31.1.2005 und 1.2.2002 - 31.1.2005
    von Bimberg, D.
    Veröffentlicht 2005
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  6. 6
    Herstellung und Charakterisierung von semiisolierenden InP- und InGaAs-Schichten und Strukturen auf Si-Substraten : Schlußbericht zum F- und E-Vorhaben des BMFT (1.7.1989 - 28.2.1993)
    Veröffentlicht 1993
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  7. 7
    Wachstumskern Berlin WideBase : Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für (Al,Ga,In)N-Schichtstrukturen, Teilprojekt 6.3: Metallorganische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung von InGaN Schichten für quantitative Analytik ; Projekt-Abschlussbericht ; Teilprojektlaufzeit: 01.07.2011 bis 31.12.2012
    Veröffentlicht 2013
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  8. 8
    Schlussbericht vom 23.06.2004 zum Thema: Elektronische Eigenschaften von epitaktischen Halbleitergrenzflächen : bmb+f-Förderschwerpunkt Kondensierte Materie, Großgeräte der physikalischen Grundlagenforschung ; Förderzeitraum: 01.04.2001 - 31.03.2004
    Veröffentlicht 2004
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  9. 9
    Hochauflösende Photoemission an geordneten Halbleitergrenzflächen : Zwischenbericht
    Veröffentlicht 1997
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  10. 10
    Abschlußbericht zum Teilvorhaben "LED Design und Entwicklung von Prozessbausteinen für Emitter im UV-B und UV-C Wellenlängenbereich" im Verbundprojekt "Deep-UV LEDs auf der Basis von (Al-Galn)N/AlGaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich (250-350 nm)" : Berichtszeitraum: 01.07.2008 - 30.09.2011
    Veröffentlicht 2012
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  11. 11
    Novalas : Teilverband: Laser 2000: Hochleistungslaser und diodengepumpte Festkörperlaser, Phase II, Teilprojekt: Temperaturstabile Hochleistungs-Quantenpunkt-Halbleiterlaser ; Laufzeit: 1.10.1998 - 31.12.2001 ; Förderschwerpunkt
    Veröffentlicht 2001
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  12. 12
    Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 1: "Leistungs- LED 300-350nm" ; Teilprojekt 1.4: "Simulation und Charakterisisierung von UV LEDs im Wellenlängenbereich von 300 - 350 nm" : Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
    Veröffentlicht 2014
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  13. 13
    Schlussbericht vom 08.07.2004 zum Thema: Aufbau und Betrieb eines VUV-XUV-Ellipsometers mit Synchrotronstrahlung : bmb+f-Förderschwerpunkt Kondensierte Materie, Großgeräte der physikalischen Grundlagenforschung ; Förderzeitraum: 01.04.2001 - 31.03.2004
    Veröffentlicht 2004
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  14. 14
    Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 4: "Fokussierbare UV-LED Punktstrahlquelle für sensorische Anwendungen" ; Teilprojekt 4.2: "Simulation und Charakterisierung von UV-LEDs mit integrierter Optik" : Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
    Veröffentlicht 2014
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  15. 15
    Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 2: "Bestrahlungsfester AIGaN-Photodetektor für den UV-C und VUV-Spektralbereich" ; Teilprojekt 2.4: "Bauelementmodellierung und Charakterisierung von GaAIN Photodetektoren" : Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
    Veröffentlicht 2014
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  16. 16
    Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 3: "Entwicklung schmalbandig emittierender Laserdioden bei 435,9 nm für spektroskopische Anwendungen" : Teilprojekt 3.3: "Modellierung und Charakterisierung von InGaN Laserdioden für die Emission bei 435,9 nm" ; Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
    Veröffentlicht 2014
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  17. 17
    Schlussbericht: Projekt QSOURCE - Halbleiter basierte Einzelphotonenquelle für die Quantenkommunikation : Laufzeit des Vorhabens: 01.08.2013-31.07.2016 verlängert bis 31.01.2017, Berichtszeitraum: 01.08.2013-31.01.2017
    von Reitzenstein, Stephan
    Veröffentlicht 2017
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  18. 18
    Zwanzig20 Advanced UV for Life; Einzelvorhaben: "Metallorganische Gasphasenepitaxieanlage für hohe Aluminiumgehalte und UV-LEDs mit ultrakurzen Wellenlängen (DUV-LED-MOVPE)" : Projekt-Abschlussbericht : Bewilligungszeitraum: 01.05.2019 bis 31.12.2021 = Metalorganic vapor-phase epitaxy system for high aluminium mole fractions and ultra-short wavelength UV-LEDs (DUV-LED-MOVPE)
    von Kneissl, Michael
    Veröffentlicht 2022
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  19. 19
    Zwanzig20 Advanced UV for Life; Verbundprojekt: "UV-LEDs mit optimierter Lichtauskopplung durch angepasste Vergusstechnologie (OLAV)"; Teilprojekt: "Simulation und Charakterisierung von UV-LEDs mit angepasster Vergusstechnologie (OLAV-TUB)" : Projekt-Abschlussbericht : Bewilligungszeitraum: 01.12.2018 bis 31.12.2021
    von Kneissl, Michael
    Veröffentlicht 2022
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  20. 20
    Projekt-Abschlussbericht Zwanzig20 - Advanced UV for Life : Verbundprojekt: "Montierte UV-LEDs unter Nutzung von multifunktionalen Silizium-Submounts zum Waferlevel-Packaging (MountLED)"; Teilprojekt: "Epitaxie und Charakterisierung von UVC-LED-Wafern für die Entwicklung von Montagetechnologien (MountLED-TUB)" : Bewilligungszeitraum: 01.08.2016 bis 31.07.2019
    von Kneissl, Michael
    Veröffentlicht 2019
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