Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon by Thermal Chemical Vapor Deposition

von Higashitani, K.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (34. : 1988 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 34kai Shinpojiumu (1987)

Desulfurization behaviour in rapid pyrolysis of coals with various pretreatments

von Sugawara, K.
Veröffentlicht in ICCS (9 : 1997 : Essen) Proceedings ICCS '97 ; Vol. 2 (1997)

a — Si : H FILMS PREPARED BY ECR PLASMA ENHANCED CVD

von Hine, S.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (31. : 1986 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 31kai Shinpojiumu (1986)

SELECTIVE CVD – TUNGSTEN USING SiH4 – REDUCTION AND ITS APPLICATION TO VLSI

von Tsutsumi, T.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (33. : 1987 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 33kai Shinpojiumu (1987)

Recrystallization of Silicon Film on Nitride/Oxide Double Insulating Structure by CW Laser Irradiation

von NISHIMURA, T.
Veröffentlicht in Conference on Solid State Devices (13 : 1981 : Tokio) Proceedings of the 13th Conference on Solid State Devices (1982)

DOPING OF TRENCH SIDEWALLS BY OBLIQUE-ROTATING ION IMPLANTATION

von Ohsaki, S.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (33. : 1987 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 33kai Shinpojiumu (1987)

A SUBMICRON MULTILEVEL METALLIZATION PROCESS WITH CVD-W

von Takata, Y.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (35. : 1988 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 35kai Shinpojiumu (1988)

Platinum Silicide Schottky-Barrier IR-CCD Image Sensors

von KIMATA, M.
Veröffentlicht in Conference on Solid State Devices (13 : 1981 : Tokio) Proceedings of the 13th Conference on Solid State Devices (1982)