Siltronic

Die Siltronic AG ist ein Hersteller von Wafern aus Reinstsilizium, der Grundlage für die moderne Mikro- und Nanotechnologie. Das Unternehmen mit Sitz in München ist der weltweit drittgrößte Hersteller von Wafern für die Halbleiterindustrie. Veröffentlicht in Wikipedia
Treffer 1 - 15 von 15 für Suche 'Siltronic AG', Suchdauer: 0,27s Treffer weiter einschränken
  1. 1
    Veröffentlicht 2018
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  2. 2
    Kristallzüchtung und Bearbeitung von Si-Scheiben mit Durchmessern von 300 mm und größer (300 mm - WB), Teilvorhaben: Erforschung der technologischen Grundlagen : Abschlussbericht für die Zeit vom 01.04.1997 - 30.06.2004 zum Bewiligungsbescheid ... Bundesministeriums für Bildung und Forschung
    Veröffentlicht 2004
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  3. 3
    Verbundprojekt "Energie-effiziente Leistungsbauelemente für den Spannungsbereich bis 400 V - Super PowerMOS", Teilvorhaben "Ultrahochdotierte Si-Substrate für neuartige PowerMOS-Bauelemente" : Schlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.03.2008 - 31.05.2011
    Veröffentlicht 2011
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  4. 4
    Tetragonal verspanntes Silicium für die Nanotechnologie (TeSiN) : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.05.2004 - 30.04.2008
    Veröffentlicht 2008
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  5. 5
    Steigerung der Energieeffizienz von Photovoltaik- und Elektronikanwendungen durch innovatives electronic-grade Basismaterial (SPINEL) : Teilvorhaben: Etablierung eines kontinuierlichen, tiegelfreien Einkristallziehverfahrens ; Schlussbericht ; SPINEL ; Berichtszeitraum: 01.06.2009 - 31.08.2011
    Veröffentlicht 2012
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  6. 6
    Projekt DIANA: Entwicklung des Diamantendraht-Trennprozesses und notwendiger Reinigungstechnologien zur Silizium-Waferherstellung; Teilvorhaben: Evaluierung der Draht- und Drahtführungsrollengeometrie : Abschlussbericht : Berichtszeitraum: 01.07.2016-30.06.2019
    Veröffentlicht 2019
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  7. 7
    Zukunftsweisende neue Materialien für industrielle Photovoltaikanwendungen mit gesteigerter Energieeffizienz : Teilvorhaben: Tiegelfreies kontinuierliches Ziehverfahren für 200 mm Einkristalle mit granularem Silicium : Schlussbericht : Berichtszeitraum: 01.04.2012-31.12.2014
    von Raming, Georg
    Veröffentlicht 2015
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  8. 8
    European equipment & materials initiative 450 mm (EEMI450) : Teilvorhaben: Untersuchung der Prozessabläufe zur Herstellung von 450mm Siliciumeinkristallscheiben ; Schlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.06.2010 - 31.05.2012
    Veröffentlicht 2012
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  9. 9
    RF Engineered Substrates to Foster FEM Performance; Teilvorhaben Siltronic AG: Entwicklung eines 300 mm RF-SOI Basewafer für 4G+ Anforderungen in der mobilen Kommunikation : Abschlussbericht Reference : Berichtszeitraum: 01.06.2016-31.05.2019 = Final report: development of 300 mm RF-SOI basewafer for 4G+ requirements in mobile communication : ECSEL Project: REFERENCE RF engineered substrates to foster FEM performance
    von Vollkopf, Alexander
    Veröffentlicht 2019
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  10. 10
    Float Zone Silicium Kristalle mit 200 mm Durchmesser : Abschlussbericht ; Bewilligungszeitraum/Berichtszeitraum: 01.11.2000 - 31.03.2004
    Veröffentlicht 2004
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  11. 11
    Enabling Power Technologies on 300 mm Wafers (EPT300) : Teilvorhaben: Enhanced Substrate Materials : Schlussbericht : Berichtszeitraum: 01.04.2012-31.03.2015
    Veröffentlicht 2015
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  12. 12
    Hochautomatisierte Transportanwendung in Halbleiter-Waferfertigungslinie : Schlussbericht des Teilvorhabens der Siltronic AG : im Rahmen des Verbundvorhabens Productive4.0 "Productive4.0 - Digitalisierung der Industrie" : Laufzeit: 01.05.2017-30.04.2020 (3 Jahre) = Highly automated transport solution in a semiconductor wafer production line (Productive4.0)
    von Heedt, Christian
    Veröffentlicht 21032021
    Inhaltsverzeichnis
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  13. 13
    ECSEL Verbundvorhaben: WAYTOGO-FAST - Which Architecture Yields Two Other Generations Of Fully depleted Advanced Substrates and Technologies, Teilvorhaben High-Mobility Donor Wafer Prototyp : Schlussbericht Kurzfassung : Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2015-30.09.2017 : Berichtszeitraum: 01.05.2015-30.09.2017
    von Schwalb, Georg
    Veröffentlicht 2018
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  14. 14
    Teilvorhaben 3nm SiGe Substrate Wafer : Schlussbericht : im Rahmen des ECSEL-Verbundvorhabens "TAPES3 - Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik" : Berichtszeitraum: 01.10.2018-31.01.2022
    Veröffentlicht 2022
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  15. 15
    Siliciumbasierte Grundmaterialien für 3-dimensionale Transistoren (SIGMADT), Teilvorhaben: Wafertechnologie für 3D-Bauelemente ; Schlussbericht SIGMADT ; Berichtszeitraum: 01.05.2008 - 31.10.2010
    Veröffentlicht 2011
    UnknownFormat

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:

Suchwerkzeuge: