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    Verbundprojekt: Untersuchung der Möglichkeiten zur Züchtung von SiC-Einkristallen und zur Bereitstellung von Wafern aus SiC : Teilvorhaben: Aufbau der Anlagenbasis, Kristallzüchtung und Bereitstellung von SiC-Wafern ; Abschlußbericht für die Projektlaufzeit vom 01.04.96 - 30.06.00
    Veröffentlicht 2000
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    Züchtung von Zinkselenid-Einkristallen über chemischen Transport mit Jod : Abschlußbericht zum Vorhaben, Förderzeitraum: 01.05.1992 bis 31.03.1995
    von Hartmann, H.
    Veröffentlicht 1995
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    Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht für die Projektlaufzeit vom 01.07.2000 - 30.06.2003
    Veröffentlicht 2003
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    Bestimmung von Spurenelementen in hochreinem Siliciumcarbid mittels ETV-ICP-OES
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