Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik

Das Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI) ist eine Forschungseinrichtung, die unter der Trägerschaft des Forschungsverbundes Berlin steht und Mitglied der Wissenschaftsgemeinschaft Gottfried Wilhelm Leibniz ist. Das Institut hat seinen Sitz am Hausvogteiplatz in Berlin-Mitte, seine Forschungsaktivitäten sind der Grundlagenforschung in den Fächern Physik und Ingenieurwissenschaften und den Gebieten Werkstoffkunde/Materialwissenschaften und Elektronik/Optoelektronik zuzuordnen. Veröffentlicht in Wikipedia
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  1. 1
    Oberflächenemitter auf der Basis von Gruppe-III-Nitriden : Verfahrensentwicklung, Herstellung und Bauelementecharakterisierung ; Schlussbericht
    Veröffentlicht 2008
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  2. 2
    Schlussbericht zum Teilprojekt "Grundlagenuntersuchungen der MBE-Prozesse: MBE-Wachstum, Struktur und thermische Stabilität von Verbindungen und Heterostrukturen Seltener-Erd-Oxide auf Si" innerhalb des BMBF Verbundprojektes "Metall Gate Elektroden und epitaktische Oxide als Gate-Stacks für zukünftige CMOS-Logik- und Speichergenerationen" - MEGA EPOS : Laufzeit: 01.03.2007 - 28.02.2010
    Veröffentlicht 2010
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  3. 3
    Verbundprojekt: Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung, Teilprojekt: Herstellung effektiver AIN/GaN Nukleationsschichten auf Si mit MBE und Untersuchungen der aktiven InGaN Quantenwellschichten, Akronym: GaNonSi : Abschlussbericht ; Förderzeitraum: 01.02.2009 - 31.01.2012
    Veröffentlicht 2012
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  4. 4
    Herstellung von Gruppe III-Nitriden mittels plasmaunterstützter MBE : Abschlußbericht, Laufzeit des Vorhabens, Berichtszeitraum: 1. Oktober 1994 - 30. September 1997
    Veröffentlicht 1997
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  5. 5
    Professionalisierung und Verstetigung des Verwertungskonzeptes am PDI : Schlussbericht für das BMBF Forschungsvorhaben = Development, implementation and professionalization of a transfer concept at the PDI
    von Hucho, Carsten
    Veröffentlicht 2017
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  6. 6
    Verbundprojekt: Epitaxie von monolithisch integrierten III-V Materialien auf Silizium als Lichtemitter, Teilprojekt: Herstellung von Gruppe-III-Nitrid Halbleiter-Nanosäulen auf Si durch Selbstorganisation und selektives MBE Wachstum, Akronym MONALISA : Abschlussbericht ; Förderzeitraum: 01.08.2008 - 30.11.2011
    Veröffentlicht 20112012
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  7. 7
    BMBF-Förderschwerpunkt: Quantenstruktursysteme auf der Basis von III-V-Halbleitern : Teilvorhaben: Quantendrähte und Quantenpunkte durch Überwachsen von lateral strukturierten nicht-[100]-orientierten Substraten und Schichtsystemen ; Laufzeit: 01.04.1996 - 29.02.2000 ; Schlußbericht
    Veröffentlicht 2000
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  8. 8
    Teilvorhaben: Dynamische Quantum-Dots für die Quanten-Informationstechnologie : Schlussbericht ; nanoQuit: Dynamische Quantum-Dots
    Veröffentlicht 2009
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  9. 9
    III/V-Elektronik Polytektische Strukturierung : Thema und Förderkennzeichen: Synthese niedrig-dimensionaler III-V-Halbleiter, 01 BM114/2 ; Laufzeit: 01.01.91 - 31.12.95
    Veröffentlicht 1995
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  10. 10
    Ladungs- und Energietransferprozesse an hybriden organisch/inorganischen Halbleitergrenzflächen (LETOIG) im Verbundprojekt: Designprinzipien in der organischen Elektronik: Heterogenitäten im Volumen und an Phasengrenzen (InterPhase) : Schlussbericht/Final report zum Teilvorhaben : Projektlaufzeit: 01.12.2015 bis 31.05.2019 (zuwendungsneutral 6 Monate verlängert)
    von Brandt, Oliver
    Veröffentlicht 2019
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  11. 11
    Abschlussbericht über das F+E Vorhaben im BMBF-Förderschwerpunkt : Elektronenkorrelation und Dissipationsprozesse in Halbleiterquantenstrukturen ; Teilvorhaben: Quantendrähte und Quantenpunkte auf strukturierten, hochindizierten Substraten im Verbund mit metallischen, magnetischen Schichten ; Förderzeitraum: 01.01.2000 - 31.12.2004;
    Veröffentlicht 2005
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  12. 12
    BMBF-Förderschwerpunkt: Elektronenkorrelation und Dissipationsprozesse in Halbleiterquantenstrukturen, Teilvorhaben: Heteroepitaxie ferromagnetischer Materialien auf III-V Halbleiter für Spininjektion ; Abschlussbericht über das F+E Vorhaben ; Projektlaufzeit:01.09.2001 - 31.12.2004
    Veröffentlicht 2005
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  13. 13
    "Investigation and surface characterization of InAsSbP-, Si- und Ge nanostructures for mid-infrared and thermoelectric applications" : final report
    Veröffentlicht 2014
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  14. 14
    Monolithisch integrierter Laser aus III-V-Nanodrähten für Silizium-Photonik : Schlussbericht zum Projekt MILAS : Projektlaufzeit: 15.04.2018-31.01.2021 (zuwendungsneutral um neuneinhalb Monate verlängert)
    von Geelhaar, Lutz
    Veröffentlicht 2021
    Inhaltsverzeichnis
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  15. 15
    Endbericht zum Teilvorhaben: Polaritonengitter für die Quantensimulation im Verbundprojekt: INTERPOL-Quantera Verbundprojekt "Entwicklung von Polaritonengittern mit korrelierten und topologischen Zuständen für die Quantensimulation" : Laufzeit des Vorhabens: 01.06.2018-31.03.2022 = Final report of the subproject: Polariton lattices for quantum simulation of the INTERPOL-Quantera consortium: Polariton lattices: a solid-state platform for quantum simulations of correlated and topological states
    von Crespo-Povedo, Antonio
    Veröffentlicht 2022
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  16. 16
    Schlussbericht zum Projekt "Untersuchung und Oberflächencharakterisierung von InAsSbP-, Si- und Ge- Nanostrukturen für Infrarot- und thermoelektrische Anwendungen"
    von Gambaryan, Karen
    Veröffentlicht 2014
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