Advanced Cleaning and Drying Technology of Substrate Surface - Advanced Wet Station Having Liquid Chemical Recovery and Recycling Capability

von Ohmi, T.
Veröffentlicht in Chō-LSI-Urutora-Kurīn-Tekunorojī-Shinpojiumu (23 : 1994 : Tokio) 23. Chō-LSI Urutora Kurı̄n Tekunorojı̄ Shinpojiumu ; Pt. 1 (1994)

What We Extpect to Ultraclean Technology (Open discussion among all perticipants and panelists)

von Ohmi, T.
Veröffentlicht in Chō-LSI-Urutora-Kurīn-Tekunorojī-Shinpojiumu (23 : 1994 : Tokio) 23. Chō-LSI Urutora Kurı̄n Tekunorojı̄ Shinpojiumu ; Pt. 1 (1994)

ULTRACLEAN TECHNOLOGY : ULSI PROCESSING´S CRUCIAL FACTOR

von Ohmi, T.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (35. : 1988 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 35kai Shinpojiumu (1988)

Ultra clean technology = LSI seizō ni okeru purosesu kō-seinō-ka gijutsu

Veröffentlicht 1989

Ultra clean technology = LSI seizō ni okeru purosesu kō-seinō-ka gijutsu

Veröffentlicht 1989

Ultra clean technology = LSI seizō ni okeru purosesu kō-seinō-ka gijutsu

Veröffentlicht 1989

Ultra clean technology : = LSI seizō ni okeru purosesu kō-seinō-ka gijutsu

Formation of Ideal Metal/Silicon Contacts by Native-Oxid-Free Processing

von Kuwabara, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (39. : 1990 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 39kai Shinpojiumu (1989)

Hydrogen-Radical-Balanced Steam Oxidation Technology for Ultra-Thin Oxide with High Reliability

von Nakamura, K.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (45. : 1993 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 45kai Shinpojiumu (1993)

Gate Oxide Film Formation at a Temperature of 450° C

von Kawai, Y.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (45. : 1993 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 45kai Shinpojiumu (1993)

Photoresist Development by Surface Active Developer

von Shimada, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (39. : 1990 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 39kai Shinpojiumu (1989)

Ultraclean, Low Energy Bias Sputtering for High Quality Pure Aluminum Metallization

von Kuwabara, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (38. : 1990 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 38kai Shinpojiumu (1990)

Neutralization of Wafer Charging in Nitrogen-gas

von Inada, H.
Veröffentlicht in Earozoru Kagaku, Gijutsu Kenkyū Tōronkai (8. : 1991 : Tokio) Dai 8kai Earozoru Kagaku, Gijutsu Kenkyū Tōronkai (1991)

Outgas Free Photoresist processing

von Onodera, M.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (39. : 1990 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 39kai Shinpojiumu (1989)

Control of Nitrogen Depth Profile in Radical Nitrided Silicon Oxide Film

von Kawase, K.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (67 : 2004 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-67.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2004)

Non-Porous Low-k Fluorocarbon Films for 45nm Generation Formed by Very Low Electron Temperature Plasma

von Miyatani, K.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (68 : 2005 : Kyōto) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-68.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2005)