Evaporation of neutral strange particles in p ̄- Ta at 4 GeV/c

Veröffentlicht 1984

Low-Resistivity W/WSiN/poly-Si “Polymetal” Gate Electrode Technology

von Akasaka, Y.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (56 : 1999 : Osaka) 56.-Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (1999)

14nm Gate Length CMOS FETs Utilizing Low Thermal Budget Process with Poly-SiGe and Ni Salicide

von Hokazono, A.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (65 : 2003 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-65.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2003)