EVALUATION OF INTRINSIC GETTERING EFFECT BASED ON REVERSE CURRENT MEASUREMENT IN P-N DIODE ARRAYS

von Takano, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (22. : 1982 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 22kai Shinpojiumu kōen ronbunshū (1982)

ELECTRIC FIELD- ASSISTED PHOTO -CVD OF SILICON

von Itoh, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (32. : 1987 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 32kai Shinpojiumu (1987)

ELECTRON BEAM DIRECT EXPOSURE TECHNOLOGY (3) FABRICATION OF SUBMICRON MOS DEVICES

von Mitsuhashi, J.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (23. : 1982 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 23kai Shinpojiumu (1982)

DEGRADATION OF n-MOS TRANSISTOR BY HOT CARRIER INJECTION

von Mitsuhashi, J.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (28. : 1985 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 28kai Shinpojiumu (1985)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TUNNEL OXIDE OF EEPROM

von Kobayashi, K.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (30. : 1986 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 30kai Shinpojiumu (1986)

Integration of Vertical Multi-Gate Devices

von Endo, K.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-74.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2010)

Complementary Si tunnel FinFETs for future IoT application

von Morita, Y.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki Kairo Gijutsu dai 79-kai Shinpojiumu kōen ronbunshū (2015)

Fabrication and Characterization of FinFET Flash Memories

von Liu, Y.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki Kairo Gijutsu 76. Shinpojiumu kōen ronbunshū (2012)