Innenräumen

von Schatz, Artur
Veröffentlicht 1951

Advanced TCAD Design Techniques for the Performance Improvement of SiC MOSFETs

von Bellini, M.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)

Electrically Active Levels Generated by Long Oxidation Times in 4H-SiC

von Knoll, L.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Rigorous QED-proof of the Langevin equations for high-Q cavity fields

von Knöll, L.
Veröffentlicht 1989

Spiegel der deutschen Literatur : eine Literaturgeschichte für die Oberstufe von Havo- und Vwo-Schulen

Investigation into the Body Diode Degradation of 6.5 kV SiC MOSFETs

von Bianda, E.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)

Improved SiO2/ 4H-SiC Interface Defect Density Using Forming Gas Annealing

von Wirths, S.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Short Circuit Ruggedness of 600 V SiC Trench JFETs

von Sundaramoorthy, V.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)

An Investigation into the Dynamic Behavior of 3.3kV MOSFETs Body Diode

von Mihaila, A.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Dynamic Characterization and Robustness Test of High Voltage SiC MOSFETs

von Soler, V.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)