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Embedded DRAM Technologies with Trench Capacitor Cell

von Ishiuchi, H.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (55 : 1998 : Tokio) 55. Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (1998)

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2

Overview of ITRS 2009 Edition and Trend of Semiconductor Technology

von Ishiuchi, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-74.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2010)

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3

Application of SOI Technology to Telecommunication LSIs. — A 67 GHz fmax SOI Lateral Bipolar Transistor Technology

von Inoh, K.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (57 : 1999 : Tokio) 57.-Handōtai-Shuseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (1999)

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4

14nm Gate Length CMOS FETs Utilizing Low Thermal Budget Process with Poly-SiGe and Ni Salicide

von Hokazono, A.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (65 : 2003 : Tokio) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-65.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2003)

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