A Noval Planarization Technology using Silane and Hydrogen Peroxide Chemistry for Sub-half Micron Interlayer Dielectric Applications

von Matsuura, M.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (48 : 1995 : Tokio) 48. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū (1995)

Modal interpolation program , L 215 (INTERP)

Modal interpolation program , L 215 (INTERP)

von Kroll, R. I.
Veröffentlicht 1979

ELECTRIC FIELD- ASSISTED PHOTO -CVD OF SILICON

von Itoh, H.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (32. : 1987 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 32kai Shinpojiumu (1987)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TUNNEL OXIDE OF EEPROM

von Kobayashi, K.
Veröffentlicht in Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu (30. : 1986 : Tokio) Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 30kai Shinpojiumu (1986)

Modal interpolation program , L 215 (INTERP)

von Hirayama, M. Y.
Veröffentlicht 1979

Equation modifying program, L219 (EQMOD)

von Hirayama, M. Y.
Veröffentlicht 1979

Highly Reliable Gate Oxides Formed by UV-O2 Oxidation

von Teramoto, A.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (51 : 1996 : Tokio) 51. Handōtai Shuseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu Kōen Ronbunshū (1996)

Time Dependent Breakdown Characteristics in Thin Si02 Films

von Sawada, K.
Veröffentlicht in Symposium on Reliability and Maintainability (10. : 1980 : Tokio) 10th Symposium on Reliability and Maintainability (1980)

Non-Porous Low-k Fluorocarbon Films for 45nm Generation Formed by Very Low Electron Temperature Plasma

von Miyatani, K.
Veröffentlicht in Handōtai-Shūseki-Kairo-Gijutsu-Shinpojiumu (68 : 2005 : Kyōto) Handōtai, Shuseki-Kairo-Gijutsu-68.-Shinpojiumu-kōen-ronbunshū (2005)