Les Eglises en Allemagne

von Hahn, K. J.
Veröffentlicht 1949

Duitsland als geestelijk probleem

von Hahn, K. J.
Veröffentlicht 1950

Prediction intervals to contain future means and some other statistical intervals

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht 1970

Prediction intervals to contain all future observations for a regression method

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht 1970

Duitsland als geestelijk probleem : Ontwrichting en herstel. K. J. Hahn

von Hahn, K. J.
Veröffentlicht 1950

De betekenis van uitvindingen

von Haan, C. J. de
Veröffentlicht in Economisch statistische berichten (1958)

Optimising a value-based performance indicator in mid-term sales and operations planning

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht in Operational Research Society Journal of the Operational Research Society (2011)

A review and comparison of methods for regression analysis of censored data

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht 1971

A catalog and computer program for the design and analysis of orthogonal symmetric and asymmetric fractional factorial experiments

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht 1966

Achieving Reduced Specific On-Resistance in 1.2 kV SiC Power MOSFETs at Elevated Temperature

von Han, K. J.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Regression analysis for censored data : graphical methods

von Hahn, G. J.
Veröffentlicht 1970

Correlation and extrapolation of creep-rupture data of several steels and superalloys using time-temperature parameters : presented at the 1968 Materials Engineering Exposition &...

von Goldhoff, Robert M.
Veröffentlicht 1968

1.2 kV SiC Trench-Gate MOSFETS with Dual Shielding Regions

von Agarwal, A.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Superior Short Circuit Performance of 1.2kV SiC JBSFETs Compared to 1.2kV SiC MOSFETs

von Kanale, A.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Demonstration of Superior Static, Dynamic, and Short-Circuit Performance of 1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Octagonal Cell MOSFETs Compared with Linear, Square, and Hexagonal Topologies

von Han, K. J.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)

Experimental Study of High-Temperature Switching Performance of 1.2kV SiC JBSFET in Comparison with 1.2kV SiC MOSFET

von Kanale, A.
Veröffentlicht in European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (12. : 2018 : Birmingham) Silicon carbide and related materials 2018 (2019)

Experimental Study of Switching and Short-Circuit Performance of 1.2 kV 4H-SiC Accumulation and Inversion Channel Power MOSFETs

von Agarwal, A.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)

Basiskursus algemene taalwetenschap : G. J. de Haan, G. A. T. Koefoed en A. L. des Tombe

von Haan, G. J. de
Veröffentlicht 1977

Basiskursus algemene taalwetenschap

von Haan, G. J. de
Veröffentlicht 1981

1.2 kV, 10 A, 4H-SiC Bi-Directional Field Effect Transistor (BiDFET) with Low On-State Voltage Drop

von Kanale, A.
Veröffentlicht in International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (18. : 2019 : Kyōto) Silicon carbide and related materials 2019 (2020)