Technologie zur Herstellung AIN - basierender, implantierbarer Piezogeneratoren und Energiespeicherkapazitäten : Schlussbericht zum Teilvorhaben im Rahmen des Verbundprojektes Au...

von Cimalla, Volker
Veröffentlicht 2011

Structural evolution of rapid thermal carbonized Si surfaces

von Cimalla, Volker
Veröffentlicht in Evolution of thin film and surface structure and morphology (1995)

Tuning of electrical properties of InxOy thin films grown by MOCVD for different applications

von Wang, Chunyu
Veröffentlicht in Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future (2006)

Ozone and UV assisted oxidation of InN surfaces

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2008)

Low temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si substrates

Veröffentlicht in Silicon carbide and related materials 2004 (2005)

AlGaN-based pH-sensors : impedance characterisation, optimisation and application for foetal blood sampling

von Lübbers, Benedikt
Veröffentlicht 2013

AlGaN/GaN-Schichtsysteme für piezoelektrisch angeregte Resonatoren

von Tonisch, Katja
Veröffentlicht 2010

Technologie zur Integration angepasster optoelektronischer Bauelemente in komplexe mikrooptische Systeme : Schlussbericht zum Teilvorhaben im Rahmen des Verbundprojektes Skalenüb...

Veröffentlicht 2013

Estimation of the piezoelectric properties of thin AIN layers for MEMS applications

Veröffentlicht in Technische Universität Ilmenau. Fakultät für Maschinenbau Tagungsunterlagen (2005)

Estimations of the piezoelectric properties of thin AIN layers for MEMS applications

Veröffentlicht in Mechanical engineering from macro to nano (2005)

Piezoelectric properties of thin AlN layers for MEMS application determined by piezoresponse force microscopy

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2006)

Work function analysis of GaN-based lateral polarity structures by Auger electron energy measurements

Veröffentlicht in Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future (2006)

Simulation of Auger depth profiles of thin SiC - layers with respect to atomic mixing, auger electron escape depth and surface roughness

Veröffentlicht in ECASIA (7 : 1997 : Göteborg) ECASIA 97 (1997)

Teilvorhaben: Nanostrukturierter Diamant mit eingebetteten NV-Zentren : Abschlussbericht DiaPol "Revolutionierende Krebsdiagnostik mit Diamanttechnologien" : Berichtszeitraum: 01...

von Giese, Christian
Veröffentlicht 3122021

Theoretical evaluation of the interface modification for aluminium nitride growth on Si

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2002)

Structural studies of single crystalline In2O3 films epitaxially grown on InN(0001)

Veröffentlicht in Applied physics letters (2007)

Model for the thickness dependence of electron concentration in InN films

Veröffentlicht in Applied physics letters (2006)

Fully unstrained GaN on sacrificial AlN layers by nano-heteroepitaxy

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2007)

Development of a reference field for a NPM-machine

Veröffentlicht in Technische Universität Ilmenau. Fakultät für Maschinenbau Tagungsunterlagen (2005)

Wet chemical etching of AlN in KOH solution

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2006)