Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit großen De...

von Ambacher, Oliver
Veröffentlicht 1993

Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen...

von Ambacher, Oliver
Veröffentlicht 1993

Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan : vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen...

von Ambacher, Oliver
Veröffentlicht 1993

Verbesserung der Abbildungsqualität blauer Projektionslichtquellen

von Kopp, Fabian
Veröffentlicht 2014

kp parameters of wurtzite GaN

von Žochovec, Svjatoslav
Veröffentlicht in 69. Jahrestagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (DPG) e. V. ; 2: Arbeitskreis Festkörperphysik, chemische Physik und Polymerphysik, dielektrische Physik, dünne Schichten, Dynamik und statische Physik, Halbleiterphysik, Magnetismus, Metallphysik, Oberflächenphysik, tiefe Temperaturen, Vakuumphysik und Vakuumtechnik, Arbeitskreise biologische Physik, Physik sozioökonomischer Systeme, Symposien (2005)

Evidence for nonlinear macroscopic polarization in III-V nitride alloy heterostructures

von Fiorentini, Vincenzo
Veröffentlicht in Applied physics letters (2002)

Momentum matrix element and conduction band nonparabolicity in wurtzite GaN

von Žochovec, Svjatoslav
Veröffentlicht in Applied physics letters (2005)

Excitonic contribution to the optical absorption in zinc-blende III-V semiconductors

von Žochovec, Svjatoslav
Veröffentlicht in Physical review / B (2006)

Tuning of electrical properties of InxOy thin films grown by MOCVD for different applications

von Wang, Chunyu
Veröffentlicht in Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future (2006)

Composition measurements of group-III nitride ternary and quaternary compound nanostructures by AES

von Ecke, Gernot
Veröffentlicht in Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future (2006)

Conduction-band dispersion relation and electron effective mass in III-V and II-VI zinc-blende semiconductors

von Žochovec, Svjatoslav
Veröffentlicht in Physical review / B (2007)

Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant

von Lang, Nicola
Veröffentlicht 2016

Ozone and UV assisted oxidation of InN surfaces

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2008)

Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik

von Förster, Christian
Veröffentlicht 2006

GaN-basierte pH-Sensoren : Empfindlichkeit, Drift und Passivierungstechnologien

von Kittler, Gabriel
Veröffentlicht 2008

Wide band gap materials and devices for NOx, H2 and O2 gas sensing applications

von Ali, Majdeddin
Veröffentlicht 2008

Low temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si substrates

Veröffentlicht in Silicon carbide and related materials 2004 (2005)

Observation of Fermi-edge excitons and exciton-phonon complexes in the optical response of heavily doped n-type wurtzite GaN

Veröffentlicht in Physical review / B (2009)

Augerelektronenspektroskopie und niederenergetischer Ionenbeschuss von Siliziumkarbid

von Kosiba, Rastislav
Veröffentlicht 2005

Gap state absorption in AlGaN photoconductors and solar-blind photodetectors

Veröffentlicht in Physica status solidi / C (2004)